上游供应链告急 2017年手机将继续涨价

　　2016年涨幅最大的芯片产品莫过于存储芯片，无论是DRAM还是NAND Flash均出现了大幅度上涨，其中DRAM芯片上涨幅度接近一倍，而固态硬盘等NAND Flash产品也涨价超过35%。造成涨价的一个原因是人民币的汇率波动，一个原因就是各大半导体厂商在需求转进更先进的制程，造成产能下降，市场供应不足而涨价。在今日，美光和海力士均披露了其2017年的规划与路线图。

　　在2月3日，美光CEO Mark Durcan宣布退休，美光在制程转进的关键节点更换CEO，是否意味着美光将走进全新的时代？其实存储器价格上涨让美光受益匪浅，净利润从亏损1.7亿美元到赚1.8亿美元，美光能否借此脱离资金泥潭，将技术赶上，对于存储器市场的影响重大。

　　NAND闪存进展

　　在2016年，3D NAND闪存开始出货，美光的步伐虽然有点慢，不过同样在2016年 实现了量产，美光量产的是第一代32层堆栈的产品，这一代产品也是美光2017年的出货主力。不过美观方面期望在2017年今年9月之前量产第二代64层的3D NAND显存；而第三代的3D NAND显存容量比第二代提升40%。

　　美光3D NAND研发进展

　　美光的3D NAND闪存量产虽然比三星晚，不过它们的拥有单颗容量最高容量的384Gb;也拥有单位面积密度最高的记录，每平方毫米拥有4.3Gb的容量。除此之外，QLC颗粒的NAND闪存也处于研发之中，不过在短时间不会出现在市场上。

　　DRAM内存进展

　　美光在2016年完成了将DRAM制程转进到20nm工艺，而在2017年的第四季度之前还将实现1Xnm工艺的DRAM技术的量产；而他们也同样计划在2017年下半年转入到1Ynm制程工艺；而10nm级的1Znm工艺也将会进入到研发阶段。

　　美光DRAM技术发展

　　目前主流的电脑显卡上使用的是GDDR5或者GDDR5X,suiran HBM显存在未来是发展的必然趋势，过于昂贵的价格注定在短时间内不会得到大规模应用。在美光方面预计在2017年年度或者2018年年初推出新一代的GDDR6显存。

　　SK Hynix2017年计划

　　SK Hynix已经在生产48层的3D NAND Flash（3D-V3），而她们计划在2017年投产72层的NAND Flash（3D-V4）。与此，SK Hynix确认在2017年第二季度开始量产，他们同事计划在2017年年底将单颗容量提升到512Gb。

　　SK Hynix NAND Flash芯片

　　DRAM方面，SK Hynix表示他们会在2017年量产10nm class制程的DRAM，实际上该制程并不是我们一般说的10nm工艺，外界猜测可能是18nm的制程工艺。SK Hynix在2Xnm的DRAM制程上落后三星一年半，他们也希望在10nm级别上迎头赶上并拉开与美光的差距。

　　最近深陷财务麻烦的东芝集团已确定定剥离半导体芯片业务，并出售最高3成的股票变现缓解危机，对其虎视眈眈的有佳能、西部数据等科技公司，还有来自英国、美国等投资企业。最近更是有人爆料SK Hynix已经对东芝进行报价，争取吃下这块“肥肉”。

　　西部数据密度最大的3D NAND芯片

　　随着机械硬盘的日渐式微，西部数据急于需求新的出路，他们在去年斥资190亿美元收购闪迪，开始进军固态硬盘、移动存储器市场。在今年年中完成收购之后，西数迫不及待的开始了NAND Flash的研发。

　　西部数据BiCS 3D NAND Flash

　　在2月7日，西部数据宣布他们已经开始流片全球最密集的3D NAND闪存芯片，对叠层数达到了64层，每单元存数比从2位增加到3位（从MLC转向TLC）。与西部数据共同开发的东芝将其“垂直3D堆叠技术”成为Bit Cost Scaling，预计在2017年下半年开始量产。